
作者:龙王纯乙 来源:原创 发布日期:05-19

HBM4将基底芯片从DRAM制程迁移至SF4逻辑制程,使工作电压(VDDQ)从HBM3E的1.1V降至0.75V,降幅达32%,同时实现更高的晶体管密度与更优的面积效率。结合自适应体偏置(ABB)控制技术和4倍TSV数量提升,三星HBM4在低于1V核心电压下可达11 Gb/s引脚速度,最高可至13 Gb/s,大幅超越JEDEC HBM4标准规定的6.4 Gb/s上限。 &n
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发布时间:06:13:13